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2011年半導(dǎo)體廠家資本支出（CAPEX）大約658億美元，比2010年增加了14.3%，其中設(shè)備支出大約440億美元，比2010年增加8.0%。預(yù)計(jì)2012年設(shè)備支出大約389億美元，其中晶圓廠（Wafer Fab）設(shè)備313億美元，比2011年均有所下滑。主要原因是2010年晶圓廠設(shè)備支出比2009年增長(zhǎng)了127.1%，2011年又增長(zhǎng)了13.3%，2012年出現(xiàn)下滑是正常的。

2012年資本支出超過(guò)50億美元的仍然是英特爾、三星電子和臺(tái)積電這三家。英特爾為建設(shè)全球第一座量產(chǎn)14nm 晶圓廠Fab 42 投資超過(guò)50億美元，還有一座試驗(yàn)開(kāi)發(fā)性質(zhì)的14nm 晶圓廠D1X，英特爾繼續(xù)引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向20納米以下發(fā)展，同時(shí)也再次確認(rèn)英特爾在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域無(wú)可撼動(dòng)的霸主地位。

三星電子則計(jì)劃支出134億美元，是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域資本支出最高的廠家，其中40%投入DRAM和NAND內(nèi)存領(lǐng)域，其中包括引人矚目的中國(guó)西安NAND工廠。三星大約50%投入System LSI領(lǐng)域，主要包括晶圓代工和AP業(yè)務(wù)。蘋(píng)果的A5是其主要代工產(chǎn)品，預(yù)計(jì)A6 也會(huì)是三星代工。因?yàn)闊o(wú)論是A5 還是A6 ，與三星自己的AP都非常近似，蘋(píng)果擔(dān)心委托其他晶圓代工有技術(shù)泄露的危險(xiǎn)，而給三星則不用擔(dān)心這個(gè)問(wèn)題。為了獲得蘋(píng)果的認(rèn)同，A5和A6 將在美國(guó)本土的S1廠生產(chǎn)，三星將投資10億美元大幅度擴(kuò)展S1 廠的產(chǎn)能。

臺(tái)積電的28納米工藝是全球僅次于英特爾的最先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝，客戶愿意提前現(xiàn)金下單，訂單已經(jīng)排到2012年年底。臺(tái)積電原本預(yù)計(jì)2012年資本支出60億美元，不過(guò)近期臺(tái)積電已經(jīng)表明，可能提高資本支出到70億美元以緩解產(chǎn)能緊張。