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2021-2027年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)分析與供需格局預(yù)測(cè)研究報(bào)告
2020-12-02
  • [報(bào)告ID] 149141
  • [關(guān)鍵詞] 第三代半導(dǎo)體行業(yè)
  • [報(bào)告名稱] 2021-2027年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)分析與供需格局預(yù)測(cè)研究報(bào)告
  • [交付方式] EMS特快專遞 EMAIL
  • [完成日期] 2020/11/11
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報(bào)告簡(jiǎn)介

第三代半導(dǎo)體指禁帶寬度大于2.2eV的半導(dǎo)體材料,也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:第一階段是以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導(dǎo)體材料;第二階段是以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;而以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、等寬帶半導(dǎo)體原料為主的第三代半導(dǎo)體材料,可以被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、照明、新能源汽車、導(dǎo)彈、衛(wèi)星等各個(gè)領(lǐng)域,且具備眾多的優(yōu)良性能,可突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸,隨著技術(shù)的發(fā)展有望全面取代第一、二代半導(dǎo)體材料。

我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展緣自2013年科技部863計(jì)劃,計(jì)劃將之列為戰(zhàn)略發(fā)展產(chǎn)業(yè)。2016年國(guó)務(wù)院國(guó)家新產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組將其列為重點(diǎn)發(fā)展方向,除此之外,福建等27個(gè)地區(qū)陸續(xù)推出近30條第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策,2016年為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)元年。

2019年,國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略《長(zhǎng)江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要》明確要求長(zhǎng)江三角洲區(qū)域加快培育布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。2020年,我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃,計(jì)劃在2021-2025年期間,在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個(gè)方面,大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。

對(duì)于第三代半導(dǎo)體的發(fā)展,國(guó)內(nèi)高度重視。2019年12月,國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略《長(zhǎng)江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要》明確要求加快培育布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),推動(dòng)制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。2020年7月,《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》指出國(guó)家鼓勵(lì)的集成電路設(shè)計(jì)、裝備、材料、封裝、測(cè)試企業(yè)和軟件企業(yè),自獲利年度起,第一年至第二年免征企業(yè)所得稅,第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業(yè)所得稅。2020年,我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃。

產(chǎn)業(yè)鏈:各環(huán)節(jié)均有較多企業(yè)參與

第三代半導(dǎo)體材料主要以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為主。碳化硅(SiC)生產(chǎn)過程分為SiC單晶生長(zhǎng)、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟,對(duì)應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組三大環(huán)節(jié)。

GaN產(chǎn)業(yè)鏈按環(huán)節(jié)分為Si襯底(或GaN單晶襯底、SiC、藍(lán)寶石)、GaN材料外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造、封測(cè)以及應(yīng)用。各個(gè)環(huán)節(jié)國(guó)內(nèi)均有企業(yè)涉足,如在射頻領(lǐng)域,SiC襯底生產(chǎn)商有天科合達(dá)、山東天岳等,GaN襯底有維微科技、科恒晶體、鎵鋁光電等公司。外延片涉足企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、聚能晶源、英諾賽科等。蘇州能訊、四川益豐電子、中科院蘇州納米所等公司則同時(shí)涉足多環(huán)節(jié),力圖形成全產(chǎn)業(yè)鏈公司。

市場(chǎng)規(guī)模:產(chǎn)能、規(guī)模高速增長(zhǎng)

第三代半導(dǎo)體材料是5G時(shí)代的主要材料,與傳統(tǒng)的第一代、第二代半導(dǎo)體材料硅(Si)和砷化鎵(GaAs)相比,第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大等獨(dú)特性能,使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力。

在國(guó)家政策的大力支持下,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線陸續(xù)開通,產(chǎn)能不斷增加。據(jù)CASA Research不完全統(tǒng)計(jì),2019年,國(guó)內(nèi)主要企業(yè)Si基GaN外延片(不含LED)折算6英寸產(chǎn)能約為20萬片/年,Si基GaN器件(不含LED)折算6英寸產(chǎn)能約為19萬片/年。SiC基GaN外延片折算4英寸產(chǎn)能約為10萬片/年,SiC基GaN器件折算4英寸產(chǎn)能約為8萬片/年。

SiC方面,國(guó)內(nèi)主要企業(yè)導(dǎo)電型SiC襯底折合4英寸產(chǎn)能約為50萬片/年,半絕緣SiC襯底折合4英寸產(chǎn)能約為寸產(chǎn)能約為20萬片/年;SiC外延片折算6英寸產(chǎn)能約為20萬片/年。

2016-2019年我國(guó)SiC、GaN電力電子產(chǎn)業(yè)值持續(xù)提高。據(jù)CASA初步統(tǒng)計(jì),2019年,我國(guó)SiC、GaN電力子和微波射頻產(chǎn)值(供給)超過60億元。2019年我國(guó)SiC、GaN電力子產(chǎn)值規(guī)模達(dá)26億元,同比增長(zhǎng)84%。

GaN微波射頻產(chǎn)值方面,2016年9月科技部立項(xiàng)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃,旨在針對(duì)5G通信需求,建立開放的工藝代工線,實(shí)現(xiàn)GaN器件與電路在通信系統(tǒng)的應(yīng)用,推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體在射頻功率領(lǐng)域的可持續(xù)發(fā)展。我國(guó)GaN微波射頻產(chǎn)值不斷增長(zhǎng),據(jù)CASA數(shù)據(jù),2019年我國(guó)GaN微波射頻產(chǎn)值規(guī)模近38億元,同比增長(zhǎng)74%。

應(yīng)用市場(chǎng):主要應(yīng)用消費(fèi)類電源和新能源汽車

從各應(yīng)用市場(chǎng)來看,中國(guó)SiC、GaN電力電子器件主要應(yīng)用于新能源汽車、消費(fèi)類電源和工商業(yè)電源應(yīng)用。在消費(fèi)電子方面,快充電源作為新應(yīng)用帶來較大的市場(chǎng)。新能源汽車方面,我國(guó)作為全球最大的新能源汽車市場(chǎng),隨著下游特斯拉開始大量推進(jìn)SiC解決方案,國(guó)內(nèi)的廠商也快速跟進(jìn),以比亞迪為代表的整車廠商開始全方位布局,推動(dòng)第三半導(dǎo)體器件在汽車領(lǐng)域的發(fā)展。

投資熱度居高不下

2019年,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資熱度居高不下。據(jù)CASA,SiC投資14起,涉及金額220.8億元;GaN投資3起,涉及金額45億元。全年已披露的投資擴(kuò)產(chǎn)金額達(dá)到265.8億元(不含光電),較2018年同比增長(zhǎng)60%。

具體看國(guó)內(nèi)部分重點(diǎn)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域投資項(xiàng)目,2020年7月,長(zhǎng)沙三安光電第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資160億元,主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模,并帶動(dòng)上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計(jì)逾千億元。

2020年6月,深圳市同力實(shí)業(yè)有限公司坪山半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園(多彩)項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資50億元,園區(qū)將集聚第三代半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)鏈,形成集聚發(fā)展態(tài)勢(shì)。坪山集成電路及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚已經(jīng)漸成規(guī)模,集聚了中芯國(guó)際、比亞迪(中央研究院)、昂納科技、金泰克、基本半導(dǎo)體、拉普拉斯等重點(diǎn)企業(yè)。

區(qū)域方面,我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)初步形成了京津冀魯、長(zhǎng)三角、珠三角、閩三角、中西部等五大重點(diǎn)區(qū)域。據(jù)CASA,2015年下半年-2019年底期間,長(zhǎng)三角區(qū)域第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具備集聚優(yōu)勢(shì),投資金額較多,達(dá)到715億元,其中2019年投資總額超過107億元,占比達(dá)到43%,其次為中西部區(qū)域,占比達(dá)25%。

我國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展雖然較晚,但是發(fā)展速度較快。當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策呈現(xiàn)利好趨勢(shì)、產(chǎn)業(yè)鏈日趨完善、眾多企業(yè)積極參與,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線、產(chǎn)能不斷增加,市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增加,應(yīng)用市場(chǎng)不斷拓展,投資熱度持續(xù)高漲。整體而言,對(duì)于2020年的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,總體趨勢(shì)向好。

本公司出品的研究報(bào)告首先介紹了中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展環(huán)境、第三代半導(dǎo)體行業(yè)整體運(yùn)行態(tài)勢(shì)等,接著分析了中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)行的現(xiàn)狀,然后介紹了第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局。隨后,報(bào)告對(duì)第三代半導(dǎo)體行業(yè)做了重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析,最后分析了中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)與投資預(yù)測(cè)。您若想對(duì)第三代半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)有個(gè)系統(tǒng)的了解或者想投資中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè),本報(bào)告是您不可或缺的重要工具。

本研究報(bào)告數(shù)據(jù)主要采用國(guó)家統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),海關(guān)總署,問卷調(diào)查數(shù)據(jù),商務(wù)部采集數(shù)據(jù)等第三代半導(dǎo)體。其中宏觀經(jīng)濟(jì)數(shù)據(jù)主要來自國(guó)家統(tǒng)計(jì)局,部分行業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)主要來自國(guó)家統(tǒng)計(jì)局及市場(chǎng)調(diào)研數(shù)據(jù),企業(yè)數(shù)據(jù)主要來自于國(guó)統(tǒng)計(jì)局規(guī)模企業(yè)統(tǒng)計(jì)第三代半導(dǎo)體及證券交易所等,價(jià)格數(shù)據(jù)主要來自于各類市場(chǎng)監(jiān)測(cè)第三代半導(dǎo)體。

 

 

 


報(bào)告目錄
2021-2027年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)分析與供需格局預(yù)測(cè)研究報(bào)告

第.一章 第三代半導(dǎo)體相關(guān)概述
1.1 第三代半導(dǎo)體基本介紹
1.1.1 基礎(chǔ)概念界定
1.1.2 主要材料簡(jiǎn)介
1.1.3 歷代材料性能
1.1.4 產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義
1.2 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析
1.2.1 材料發(fā)展歷程
1.2.2 產(chǎn)業(yè)演進(jìn)全景
1.2.3 產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移路徑
1.3 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成及特點(diǎn)
1.3.1 產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介
1.3.2 產(chǎn)業(yè)鏈圖譜分析
1.3.3 產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系
1.3.4 產(chǎn)業(yè)鏈體系分工
1.3.5 產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟建設(shè)

第二章 2015-2019年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
2.1 2015-2019年全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)運(yùn)行狀況
2.1.1 國(guó)際產(chǎn)業(yè)格局
2.1.2 市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)
2.1.3 市場(chǎng)結(jié)構(gòu)分析
2.1.4 研發(fā)項(xiàng)目規(guī)劃
2.1.5 應(yīng)用領(lǐng)域格局
2.2 美國(guó)
2.2.1 研發(fā)支出規(guī)模
2.2.2 產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢(shì)
2.2.3 技術(shù)創(chuàng)新中心
2.2.4 技術(shù)研發(fā)動(dòng)向
2.2.5 戰(zhàn)略層面部署
2.3 日本
2.3.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃
2.3.2 研究成果豐碩
2.3.3 封裝技術(shù)聯(lián)盟
2.3.4 照明領(lǐng)域狀況
2.3.5 研究領(lǐng)先進(jìn)展
2.4 歐盟
2.4.1 研發(fā)項(xiàng)目歷程
2.4.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)
2.4.3 前沿企業(yè)格局
2.4.4 未來發(fā)展熱點(diǎn)

第三章 2015-2019年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析
3.1 政策環(huán)境(Political)
3.1.1 中央部委政策支持
3.1.2 地方政府扶持政策
3.1.3 材料領(lǐng)域?qū)m?xiàng)規(guī)劃
3.1.4 貿(mào)易關(guān)稅摩擦影響
3.2 經(jīng)濟(jì)環(huán)境(Economic)
3.2.1 宏觀經(jīng)濟(jì)概況
3.2.2 工業(yè)運(yùn)行情況
3.2.3 經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型升級(jí)
3.2.4 未來經(jīng)濟(jì)展望
3.3 社會(huì)環(huán)境(Social)
3.3.1 社會(huì)教育水平
3.3.2 人口規(guī)模與構(gòu)成
3.3.3 產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)演進(jìn)
3.3.4 技術(shù)人才儲(chǔ)備
3.4 技術(shù)環(huán)境(Technological)
3.4.1 專利技術(shù)構(gòu)成
3.4.2 科技計(jì)劃專項(xiàng)
3.4.3 國(guó)際技術(shù)成熟
3.4.4 產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟

第四章 2015-2019年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
4.1 中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點(diǎn)
4.1.1 企業(yè)以IDM模式為主
4.1.2 制備工藝不追求頂尖
4.1.3 襯底和外延是關(guān)鍵環(huán)節(jié)
4.1.4 各國(guó)政府高度重視發(fā)展
4.1.5 國(guó)際龍頭企業(yè)加緊布局
4.1.6 軍事用途導(dǎo)致技術(shù)禁運(yùn)
4.2 2015-2019年中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運(yùn)行綜述
4.2.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
4.2.2 產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)值
4.2.3 產(chǎn)業(yè)產(chǎn)線規(guī)模
4.2.4 產(chǎn)業(yè)供需狀態(tài)
4.2.5 產(chǎn)業(yè)成本趨勢(shì)
4.2.6 產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景
4.2.7 未來發(fā)展趨勢(shì)
4.3 2015-2019年中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r分析
4.3.1 市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
4.3.2 細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
4.3.3 企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
4.3.4 重點(diǎn)企業(yè)介紹
4.3.5 產(chǎn)品發(fā)展動(dòng)力
4.4 2015-2019年中國(guó)第三代半導(dǎo)體上游原材料市場(chǎng)發(fā)展分析
4.4.1 上游金屬硅產(chǎn)能擴(kuò)張
4.4.2 上游金屬硅價(jià)格走勢(shì)
4.4.3 上游氧化鋅市場(chǎng)需求
4.4.4 上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局
4.4.5 上游材料競(jìng)爭(zhēng)狀況分析
4.5 中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析
4.5.1 產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題
4.5.2 市場(chǎng)推進(jìn)難題
4.5.3 技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)
4.5.4 城市競(jìng)爭(zhēng)激烈
4.5.5 材料發(fā)展挑戰(zhàn)
4.6 中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對(duì)策
4.6.1 建設(shè)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟
4.6.2 加強(qiáng)企業(yè)培育
4.6.3 集聚產(chǎn)業(yè)人才
4.6.4 推動(dòng)應(yīng)用示范
4.6.5 材料發(fā)展思路

第五章 2015-2019年第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)材料及器件發(fā)展分析
5.1 GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展?fàn)顩r
5.1.1 GaN結(jié)構(gòu)性能
5.1.2 GaN制備工藝
5.1.3 GaN材料類型
5.1.4 技術(shù)專利發(fā)展
5.1.5 技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
5.2 GaN材料市場(chǎng)發(fā)展概況分析
5.2.1 市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
5.2.2 材料價(jià)格走勢(shì)
5.2.3 應(yīng)用市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
5.2.4 應(yīng)用市場(chǎng)預(yù)測(cè)
5.2.5 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
5.3 GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
5.3.1 器件產(chǎn)品類別
5.3.2 GaN晶體管
5.3.3 射頻器件產(chǎn)品
5.3.4 射頻模塊產(chǎn)品
5.3.5 GaN光電器件
5.3.6 電力電子器件
5.4 GaN器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
5.4.1 電子電力器件應(yīng)用
5.4.2 高頻功率器件應(yīng)用
5.4.3 器件應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
5.4.4 應(yīng)用實(shí)現(xiàn)條件與對(duì)策
5.5 GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)
5.5.1 器件技術(shù)難題
5.5.2 電源技術(shù)瓶頸
5.5.3 風(fēng)險(xiǎn)控制建議

第六章 2015-2019年第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料及器件發(fā)展分析
6.1 SiC材料基本性質(zhì)與制備技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r
6.1.1 SiC性能特點(diǎn)
6.1.2 SiC制備工藝
6.1.3 SiC產(chǎn)品類型
6.1.4 單晶技術(shù)專利
6.1.5 制備技術(shù)布局
6.2 SiC材料市場(chǎng)發(fā)展概況分析
6.2.1 材料價(jià)格走勢(shì)
6.2.2 材料市場(chǎng)規(guī)模
6.2.3 市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
6.2.4 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
6.2.5 企業(yè)研發(fā)布局
6.3 SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況
6.3.1 器件產(chǎn)品現(xiàn)狀
6.3.2 電力電子器件
6.3.3 功率模塊產(chǎn)品
6.3.4 產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)
6.4 SiC器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況
6.4.1 應(yīng)用整體技術(shù)路線
6.4.2 電網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.3 電力牽引應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.4 電動(dòng)汽車應(yīng)用技術(shù)路線
6.4.5 家用電器和消費(fèi)類電子應(yīng)用

第七章 第三代半導(dǎo)體其他材料發(fā)展?fàn)顩r分析
7.1 Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.1.1 基礎(chǔ)概念介紹
7.1.2 材料結(jié)構(gòu)性能
7.1.3 材料制備工藝
7.1.4 主要器件產(chǎn)品
7.1.5 應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.1.6 發(fā)展建議對(duì)策
7.2 寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.2.1 基本概念介紹
7.2.2 材料結(jié)構(gòu)性能
7.2.3 材料制備工藝
7.2.4 主要應(yīng)用器件
7.3 氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.3.1 材料結(jié)構(gòu)性能
7.3.2 材料制備工藝
7.3.3 主要技術(shù)發(fā)展
7.3.4 器件應(yīng)用發(fā)展
7.3.5 未來發(fā)展趨勢(shì)
7.4 金剛石半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
7.4.1 材料結(jié)構(gòu)性能
7.4.2 襯底制備工藝
7.4.3 主要器件產(chǎn)品
7.4.4 應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
7.4.5 未來發(fā)展前景

第八章 2015-2019年第三代半導(dǎo)體下游應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展分析
8.1 第三代半導(dǎo)體下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展概況
8.1.1 下游產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)布局
8.1.2 下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)
8.1.3 下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛
8.2 2015-2019年電子電力領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.2.1 全球市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.2.2 國(guó)內(nèi)市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.2.3 器件市場(chǎng)分布狀況
8.2.4 器件廠商布局分析
8.2.5 器件產(chǎn)品價(jià)格走勢(shì)
8.2.6 應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.3 2015-2019年微波射頻領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.3.1 射頻器件市場(chǎng)規(guī)模
8.3.2 射頻器件市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
8.3.3 射頻器件市場(chǎng)占比
8.3.4 射頻器件價(jià)格走勢(shì)
8.3.5 國(guó)防基站應(yīng)用規(guī)模
8.3.6 移動(dòng)通信基站帶動(dòng)
8.3.7 射頻器件市場(chǎng)
8.4 2015-2019年半導(dǎo)體照明領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.4.1 行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
8.4.2 行業(yè)發(fā)展規(guī)模
8.4.3 應(yīng)用市場(chǎng)分布
8.4.4 應(yīng)用發(fā)展趨勢(shì)
8.4.5 照明技術(shù)突破
8.4.6 照明發(fā)展方向
8.5 2015-2019年激光器與探測(cè)器應(yīng)用發(fā)展?fàn)顩r
8.5.1 市場(chǎng)規(guī),F(xiàn)狀
8.5.2 應(yīng)用研發(fā)現(xiàn)狀
8.5.3 激光器應(yīng)用發(fā)展
8.5.4 探測(cè)器應(yīng)用發(fā)展
8.5.5 未來發(fā)展趨勢(shì)
8.6 2015-2019年5G通訊領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.6.1 市場(chǎng)發(fā)展規(guī)模
8.6.2 賦能射頻產(chǎn)業(yè)
8.6.3 應(yīng)用發(fā)展方向
8.6.4 產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
8.7 2015-2019年新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展?fàn)顩r
8.7.1 行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模
8.7.2 應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模
8.7.3 市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)
8.7.4 SiC應(yīng)用示范

第九章 2015-2019年第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展分析
9.1 2015-2019年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況
9.1.1 產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布
9.1.2 重點(diǎn)區(qū)域建設(shè)
9.2 京津翼地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.2.1 北京產(chǎn)業(yè)政策扶持
9.2.2 北京產(chǎn)業(yè)基地發(fā)展
9.2.3 保定檢測(cè)平臺(tái)落地
9.2.4 應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地
9.2.5 區(qū)域未來發(fā)展趨勢(shì)
9.3 中西部地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.3.1 四川產(chǎn)業(yè)政策歷程
9.3.2 重慶相關(guān)領(lǐng)域態(tài)勢(shì)
9.3.3 陜西產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目規(guī)劃
9.4 珠三角地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.4.1 廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局
9.4.2 深圳產(chǎn)業(yè)園區(qū)規(guī)劃
9.4.3 東莞基地發(fā)展建設(shè)
9.4.4 區(qū)域未來發(fā)展趨勢(shì)
9.5 華東地區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析
9.5.1 江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
9.5.2 蘇州產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聚集
9.5.3 山東產(chǎn)業(yè)布局動(dòng)態(tài)
9.5.4 福建產(chǎn)業(yè)支持政策
9.5.5 區(qū)域未來發(fā)展趨勢(shì)
9.6 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議
9.6.1 提高資源整合效率
9.6.2 補(bǔ)足SiC領(lǐng)域短板
9.6.3 開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)
9.6.4 鼓勵(lì)地方加大投入

第十章 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
10.1 三安光電
10.1.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.1.2 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.1.3 財(cái)務(wù)狀況分析
10.1.4 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.1.5 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.1.6 未來前景展望
10.2 北京耐威科技
10.2.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.2.2 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.2.3 財(cái)務(wù)狀況分析
10.2.4 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.2.5 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.2.6 未來前景展望
10.3 華潤(rùn)微電子
10.3.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.3.2 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.3.3 財(cái)務(wù)狀況分析
10.3.4 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.3.5 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.3.6 未來前景展望
10.4 湖北臺(tái)基半導(dǎo)體
10.4.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.4.2 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.4.3 財(cái)務(wù)狀況分析
10.4.4 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.4.5 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.4.6 未來前景展望
10.5 無錫新潔能
10.5.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.5.2 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.5.3 財(cái)務(wù)狀況分析
10.5.4 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.5.5 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.5.6 未來前景展望
10.6 華燦光電
10.6.1 企業(yè)發(fā)展概況
10.6.2 業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)分析
10.6.3 財(cái)務(wù)狀況分析
10.6.4 核心競(jìng)爭(zhēng)力分析
10.6.5 公司發(fā)展戰(zhàn)略
10.6.6 未來前景展望

第十一章 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資價(jià)值綜合評(píng)估
11.1 行業(yè)投資背景
11.1.1 行業(yè)投資現(xiàn)狀
11.1.2 投資市場(chǎng)周期
11.1.3 行業(yè)投資機(jī)會(huì)
11.1.4 行業(yè)投資前景
11.2 行業(yè)投融資情況
11.2.1 國(guó)際投資案例
11.2.2 國(guó)內(nèi)投資案例
11.2.3 國(guó)際企業(yè)并購
11.2.4 國(guó)內(nèi)企業(yè)并購
11.3 行業(yè)投資壁壘
11.3.1 技術(shù)壁壘
11.3.2 資金壁壘
11.3.3 貿(mào)易壁壘
11.4 行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)
11.4.1 企業(yè)經(jīng)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)
11.4.2 技術(shù)迭代風(fēng)險(xiǎn)
11.4.3 行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)風(fēng)險(xiǎn)
11.4.4 產(chǎn)業(yè)政策變化風(fēng)險(xiǎn)
11.5 行業(yè)投資建議
11.5.1 積極把握5G通訊市場(chǎng)機(jī)遇
11.5.2 收購企業(yè)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破
11.5.3 關(guān)注新能源汽車催生需求
11.5.4 國(guó)內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型
11.5.5 加強(qiáng)高校與科研院所合作
11.6 投資項(xiàng)目案例
11.6.1 項(xiàng)目基本概述
11.6.2 投資價(jià)值分析
11.6.3 建設(shè)內(nèi)容規(guī)劃
11.6.4 資金需求測(cè)算
11.6.5 實(shí)施進(jìn)度安排
11.6.6 經(jīng)濟(jì)效益分析

第十二章 2021-2027年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景與趨勢(shì)預(yù)測(cè)
12.1 第三代半導(dǎo)體未來發(fā)展前景與趨勢(shì)
12.1.1 應(yīng)用領(lǐng)域展望
12.1.2 產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇
12.1.3 重要發(fā)展窗口期
12.1.4 產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略
12.2 2021-2027年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)測(cè)分析
12.2.1 2021-2027年中國(guó)第三代半導(dǎo)體影響因素分析
12.2.2 2021-2027年中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
12.2.3 2021-2027年中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)

附錄
附錄一:關(guān)于促進(jìn)中關(guān)村順義園第三代半導(dǎo)體等前沿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施
附錄二:“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃

圖表目錄
圖表 不同半導(dǎo)體材料性能比較(一)
圖表 不同半導(dǎo)體材料性能比較(二)
圖表 碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)
圖表 半導(dǎo)體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀
圖表 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)演進(jìn)示意圖
圖表 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 第三代半導(dǎo)體襯底制備流程
圖表 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖
圖表 第三代半導(dǎo)體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系
圖表 中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員(一)
圖表 中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員(二)
圖表 中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員(三)
圖表 世界各國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局
圖表 全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局
圖表 美國(guó)下一代功率電子技術(shù)國(guó)家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員(一)
圖表 美國(guó)下一代功率電子技術(shù)國(guó)家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員(二)
圖表 日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員(一)
圖表 日本下一代功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員(二)
圖表 歐洲LAST POWER產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目成員
圖表 2019年國(guó)家部委關(guān)于集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持政策匯總(一)
圖表 襯底研發(fā)重點(diǎn)企業(yè)盤點(diǎn)
更多圖表見正文......
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