納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)是用于集成電路中納米線寬測(cè)量和校準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)。標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)（RM）是具有均勻性和確定性的特性量值，用于物質(zhì)賦值、校準(zhǔn)儀器和評(píng)價(jià)檢測(cè)方法或儀器性能的物質(zhì)。
　　納米線寬是指晶體管柵極的最小線寬（柵寬）。作為集成電路的關(guān)鍵尺寸量值，納米線寬量值的準(zhǔn)確性對(duì)集成電路工藝先進(jìn)程度、芯片器件電流/電阻等電特性參數(shù)具有重要影響，尤其在納米級(jí)集成電路中，線寬量值的準(zhǔn)確性影響更大。納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)可滿足集成電路中納米線寬的原子級(jí)準(zhǔn)確度測(cè)量要求，應(yīng)用空間廣闊。
　　我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研制起步晚于歐美國(guó)家，目前在納米級(jí)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研制方面，與國(guó)際先進(jìn)水平仍存在一定差距。國(guó)外納米級(jí)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研制機(jī)構(gòu)及企業(yè)有美國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)研究院（NIST）、美國(guó)VLSI公司、Bangs Laboratories公司、德國(guó)Dr.E公司等，其中美國(guó)VLSI公司研制的線寬結(jié)構(gòu)量值在全球集成電路中處于壟斷地位，不確定度水平優(yōu)于1.0nm。
　　截止至目前，我國(guó)已批準(zhǔn)建立國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)累計(jì)超1.7萬(wàn)項(xiàng)，但其中納米級(jí)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)不足百項(xiàng)，占比極低，難以滿足快速發(fā)展的納米制造需求。我國(guó)納米級(jí)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研制以科研機(jī)構(gòu)為主，包括中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院、國(guó)家納米科學(xué)中心、同濟(jì)大學(xué)等，其中中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院在國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研制發(fā)展中具有示范性的作用。
　　2024年9月，國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)管總局批準(zhǔn)建立由中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院研制的平面結(jié)構(gòu)納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)和立體結(jié)構(gòu)納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)，這是我國(guó)首次建立基于硅晶格常數(shù)溯源的集成電路納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)。該納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)是以硅晶格{220}方向尺寸（0.192nm）為基礎(chǔ)，不確定度水平處在0.32nm-1.3nm之間，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白。
　　《亞微米及納米級(jí)顆粒粒度標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的研制》（JJF2060-2023）于2019年立項(xiàng)，2023年6月30日發(fā)布，2023年12月30日正式實(shí)施，其為納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的高質(zhì)量研制提供了標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)。
　　隨著微納米技術(shù)、原子級(jí)制造技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用，集成電路制造正向極微觀尺度邁進(jìn)，市場(chǎng)對(duì)納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的需求空間隨之?dāng)U大。納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研制難度大，為推動(dòng)集成電路制造業(yè)向更高層次邁進(jìn)，我國(guó)將繼續(xù)加強(qiáng)納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的研發(fā)與應(yīng)用，未來(lái)納米線寬標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)獲批數(shù)量有望持續(xù)增加。